中秋节假期有新闻称，中国开发出了可以用自主技术制造8纳米半导体的深紫外（DUV）光刻机。中国门户网站和社交媒体首先发布了消息，台湾、香港媒体和部分国内媒体也跟进报道了这一消息。
最终结果来看，这条新闻是莫名其妙的误报。这是对中国工业和信息化部9月初在网站上传的2024年版重要技术装备普及目录中的中国产光刻机的技术指标进行误读所引发的闹剧。也许是因为在美国等西方国家高强度的半导体制裁下，无论如何都要实现技术自立的躁动。
在中国国内，最近自称是“中国版英伟达”的人工智能（AI）半导体领域独角兽们也纷纷崩溃。虽然就像开发出了不起的技术一样吸引来了投资资金，但他们却由于无法取得成果而倒闭或退出股市。
该新闻的源头是工信部资料中包含的关于中国产氟化氩（Arf）光刻机的技术指标。其中有“分辨率为65纳米以下，套刻精度8纳米以下”的语句，“套刻精度8纳米以下”的部分被误认为可以制造8纳米级半导体。据说该设备是由一家名为上海微电子装备有限公司（SMEE）的中国国有半导体设备制造商开发的。
光刻机将激光光源投射到半导体芯片上，以刻出纳米级的精密电路。这是一种非常微小的电路，需要用电子显微镜才能看到。分辨率高达65纳米意味着可以绘制65纳米粗的电路。
套刻精度是在半导体芯片上堆叠多层电路时出现的概念，是测量重叠电路时，每层电路偏离基准位置的程度的值。这意味着可以将误差降至8纳米。
中国当局公布了该设备的指标，声称“取得了有意义的技术突破”。但从公开的指标来看，该设备的配置与该领域世界顶级企业荷兰ASML 2009年推出的名为“TWINSCAN XT:1460K”的早期DUV型号相似。ASML最新的DUV设备分辨率在38纳米以下，套刻精度为1.3纳米以下。
中国专业媒体也称之为“荒唐的混淆”
尽管如此，中国门户网站和社交媒体上还是出现了“开发出了国产8纳米光刻机”“在西方技术垄断下展现了中国科学技术的实力”等很多帖子。还有人主张：“这将提高中国的半导体自立能力，为全球科技版图带来变化。”
但是这种主张被证实是虚假，并没有花很长时间。不仅是西方技术媒体，中国国内的专业媒体也当即报道称这是“荒唐的混淆”。
SMEE可以说是中国国内技术最先进的光刻机制造企业。最终只是表明该企业可以制造的最新光刻机是ASML 15年前开发的产品水平。
对中国有关半导体技术的报道要进行甄别。中国国家主席习近平提出半导体自立是国家目标，中国政府建立了庞大的半导体基金后，很多没经过市场验证的企业对自己的技术能力进行夸大式公开。
“中国版英伟达”的没落
在中国国内，今年8月底有报道称，被称为“中国版英伟达”的图形处理器（GPU）设计企业（Fabless）象帝先宣布解散公司，带来了很大的冲击。
象帝先是半导体设计专家唐志敏（58岁）2020年在重庆创立的初创企业，过去两年自主研发并接连发布了GPU天钧1号、2号。中国国内有评价称，象帝先的企业价值高达150亿元人民币（约2.8万亿韩元）。重庆市今年6月还将象帝先评为年度独角兽企业。
这样的企业突然宣布解散公司，解雇了400名职员，令人惊讶。据中国媒体报道，该公司开发的GPU不仅性能不如英伟达，甚至不如华为的AI芯片昇腾910系列，找不到销路。在初期投资的资金被耗尽，追加投资也断绝后，陷入了倒闭的危机。
遭遇股市退市
因开发数据中心内服务器效率最大化的数据处理器（DPU）而备受关注的北京左江科技也于6月28日因涉嫌金融欺诈被深圳股市摘牌。这家企业的股价一度飙升至天价，它认为将成为全球AI热潮和中国政府半导体培育政策的受益者，所以投资蜂拥而至。
但去年11月中国证券监督管理委员会（证监会）进行的调查结果显示，这家公司大举夸大了销售业绩等。据说卖给客户的DPU产品大部分都堆在公司仓库里。
