韩媒披露，中国记忆体大厂长鑫存储在高频宽记忆体（HBM）的生产，遭遇严峻的技术瓶颈，主力研发的8层堆叠HBM3 记忆体芯片良率处于低水准，仅25% 至30%。
《Wccftech》引述韩媒《Chosun Biz》报道称，近年长鑫存储能够在全球记忆体市场快速崛起，其中一项原因，就是三星电子、SK海力士与美光等传统记忆体大厂将更多产能与资源转向HBM，使长鑫存储得以扩大DRAM供应。
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编辑：admin
2026年09月11日
韩媒披露，中国记忆体大厂长鑫存储在高频宽记忆体（HBM）的生产，遭遇严峻的技术瓶颈，主力研发的8层堆叠HBM3 记忆体芯片良率处于低水准，仅25% 至30%。
《Wccftech》引述韩媒《Chosun Biz》报道称，近年长鑫存储能够在全球记忆体市场快速崛起，其中一项原因，就是三星电子、SK海力士与美光等传统记忆体大厂将更多产能与资源转向HBM，使长鑫存储得以扩大DRAM供应。
报道指，单颗标准长鑫存储HBM 芯片需开凿多达3000 个矽穿孔（TSV），借由垂直导线连接各个层级并与基础芯片通讯。目前长鑫存储在钻孔与导线配置等TSV 技术遇到挑战，在DRAM 晶圆层之间的堆叠与键合（Bonding）技术上亦面临困难。
HBM目前已成为全球记忆体产业最关键的产品之一。随着全球AI资料中心持续大规模扩建，HBM需求快速增加，也成为AI芯片供应链的重要瓶颈。
（示意图）
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